取向硅鋼是一種高需求、節(jié)能、生產技術高的特殊鋼材料，傳統(tǒng)方法制備Hi-B鋼具有高能耗、成品率低、生產成本高等缺點。而CSP工藝具有高效、緊湊、短流程等特點，是在節(jié)能環(huán)保背景下生產Hi-B鋼的主要趨勢。另外，利用Cu2S和AlN作為抑制劑，正好符合CSP工藝的低溫加熱特性。取向硅鋼主要是為了得到鋒利的{110}〈001〉織構即高斯織構，從而使其具有良好的磁性能。而初次再結晶退火后的織構組分對Hi-B鋼在二次再結晶退火過程中能否形成完善的高斯織構具有至關重要的作用。

　　武漢科技大學的學者為了研究Hi-B鋼的常化工藝(二段式常化)及不同冷軋壓下率(63.8%、75.2%及87.1%)對其初次再結晶退火（820℃，5min）后織構的影響，采用CSP工藝試制以Cu2S和AlN作為抑制劑的方法進行模擬。利用NOVA400NanoSEM場發(fā)射掃描電子顯微鏡對初次再結晶退火后的微觀織構進行EBSD數(shù)據(jù)采集，從晶粒取向、ODF分析以及特征取向線分析3個方面對織構進行分析。結果表明，經(jīng)常化后再冷軋初次退火后Hi-B鋼的組織更加均勻，高斯織構和有利的{111}〈112〉織構相對較多，織構間發(fā)生了轉變，對產生高斯織構有利的{111}〈112〉織構為主要轉變產物。在壓下率為87.1%時，有良好的晶粒取向以及合適的取向線分布。